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如何為應(yīng)用選擇合適的DRAM
雖然價格和密度在選擇動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）中起著重要作用，但必須考慮許多其他因素。例如，長期產(chǎn)品支持是許多應(yīng)用程序的關(guān)鍵考慮因
2020-03-02
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基于28nm工藝低電壓SRAM單元電路設(shè)計
基于SMIC 28nm工藝節(jié)點仿真結(jié)果顯示,新型10T單元結(jié)構(gòu)在電源電壓為1 05V時,和傳統(tǒng)6T單元相比,RSNM提升了 2 19倍,WM提升了 2 13倍。同時,在單元讀寫操作時,錯誤率較低。
2020-02-28
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SRAM存儲系統(tǒng)的重要性
近年來SOC(片上系統(tǒng))技術(shù)逐漸成為IC設(shè)計業(yè)界的焦點,SRAM(靜態(tài)隨機存取存儲器)作為其必不可少的一部分被集成到SOC芯片中,由于高性能SRAM存儲器存在著不可或缺的應(yīng)用,一直是工業(yè)界和學(xué)術(shù)界研究
2020-02-27
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SRAM基本單元的3種狀態(tài)
SRAM的基本單元有3種狀態(tài)：standby (電路處于空閑), reading (讀)與writing (修改內(nèi)容) SRAM的讀或?qū)懩Ｊ奖仨毞謩e具有 "readability "（可讀）與 "write stability "（寫穩(wěn)定）
2020-02-25
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SPI FLASH讀寫介紹
對flash芯片的操作，一般包括對flash芯片的擦除，編程和讀取，各大廠商的SPI flash芯片都大同小異，操作命令基本是沒什么變化的，當(dāng)我們拿到一款芯片，要特別注意芯片的容量，操作分區(qū)等。
2020-02-24
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如何對外擴SRAM進(jìn)行讀寫
如何對SRAM進(jìn)行讀寫使用指針的方法進(jìn)行讀寫不需要寫讀寫函數(shù)，可以直接使用指針的方式對STM32的內(nèi)存地址進(jìn)行訪問。（1）首先要定義SRAM的基
2020-02-20
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