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SRAM的基本原理
SRAM不存在刷新的問題。一個SRAM基本存儲單元融個晶體管和兩個電阻器構(gòu)成,它并不利用電容器來存儲數(shù)據(jù)，而是通過切換晶體管的狀態(tài)來實現(xiàn)的
2020-12-15
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MCU漲價的主要因素還得從供需來看
首先需求方面來說，疫情導(dǎo)致在線教育與辦公需求增長，導(dǎo)致對應(yīng)的驅(qū)動IC、電源管理IC及功率元件需求增長，而一季度之后，疫情得到有效遏制，
2020-12-11
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NAND FLASH系統(tǒng)的權(quán)衡利弊
NAND FLASH是一種大眾化的非易失性存儲器，主要是因為小型和低功耗且堅固耐用。盡管此技術(shù)適合現(xiàn)代存儲，但在將其列入較大系統(tǒng)的一部分時
2020-12-09
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SRAM的容量擴展
通常微處理器的數(shù)據(jù)總線為8位和16位或32位，而地址總線為16位或24位不等。當靜態(tài)RAM的地址線和數(shù)據(jù)線不能與微機相匹配時，可用地址線擴展和
2020-11-30
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提升SRAM性能的傳統(tǒng)方法
隨著諸如醫(yī)療電子和無線傳感節(jié)點等應(yīng)用的興起,低功耗芯片受到了越來越廣泛的關(guān)注 這類芯片對性能和功耗要求苛刻 靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)作為
2020-11-24
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傳統(tǒng)存儲器和新興存儲器應(yīng)用
舊版存儲不再是使用壽命短的低端設(shè)備，因為主要供應(yīng)商都將精力集中在最新和最重要的產(chǎn)品上。隨著越來越多的智能設(shè)備和融合了AI的邊緣計算以
2020-11-20
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