非易失性SRAM（nv SRAM）結(jié)合了賽普拉斯行業(yè)領(lǐng)先的SRAM技術(shù)和一流的SONOS非易失性技術(shù)。在正常操作下，nv SRAM的行為類似于使用標(biāo)準(zhǔn)信號和時序的常規(guī)異步SRAM。nv SRAM執(zhí)行并行隨機訪問讀取和寫入的速度最快為20 ns。
 
發(fā)生電源故障時，nv SRAM會自動將SRAM數(shù)據(jù)的副本保存到非易失性存儲器中，該數(shù)據(jù)將受到20多年的保護(hù)。SRAM和非易失性存儲器之間的傳輸是完全并行的，從而允許在8 ms或更短的時間內(nèi)完成操作，而無需任何用戶干預(yù)。上電時，nv SRAM將數(shù)據(jù)返回給SRAM，并且系統(tǒng)從中斷處繼續(xù)操作。nv SRAM還提供用戶控制的軟件STORE和RECALL啟動命令，以及大多數(shù)版本中的用戶控制的硬件STORE命令。
 
CYPRESS的nv SRAM具有行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的，符合RoHS的封裝選項，例如TSOP，F(xiàn)BGA，SSOP和SOIC封裝
 

Nv SRAM技術(shù)

Nv SRAM的非易失性單元基于SONOS技術(shù)。他們利用Fowler-Nordheim隧穿（FN隧穿）的優(yōu)勢通過將電荷捕獲在夾層氮化物層中來存儲數(shù)據(jù)。FN隧道技術(shù)的主要優(yōu)勢在于，它可以大大提高NV耐久性，并大大降低磨損。SONOS技術(shù)的另一個優(yōu)點是易于集成到CMOS中（僅兩個附加的掩模）。這使得NV單元可以在每個存儲位中緊鄰6T SRAM單元放置，從而使SRAM到NV的傳輸全部并行進(jìn)行，并且功耗非常低。

Nv SRAM的主要功能

· 64Kb至16Mb的設(shè)備
· 異步并行和ONFI 1.0接口選項
· 串行接口選項
· 存取時間低至20 ns
· 無限耐力
· 無需電池即可存儲斷電數(shù)據(jù)；符合RoHS
· 可選的實時時鐘（RTC）


關(guān)鍵詞：SRAM