三星的 eMRAM 和 MRAM 目前都是下一代內(nèi)存創(chuàng)新的核心。自 2019 年 3 月基于 28 納米（nm）全耗盡絕緣體硅（FD-SOI）工藝的 eMRAM 解決方案開始商業(yè)出貨以來(lái)，該公司一直在提供閃存型 eMRAM 解決方案以及可用作工作存儲(chǔ)器的非易失性 RAM（nvRAM）型 eMRAM。
 
    具體而言，增強(qiáng)型磁隧道結(jié)（MTJ）堆棧工藝技術(shù)大幅降低了寫入錯(cuò)誤率（WER）。此外，MTJ 還從以前的 28 納米節(jié)點(diǎn)提升到 14 納米 FinFET 工藝，實(shí)現(xiàn)了 33% 的面積縮放。這種芯片級(jí)尺寸允許在同一晶圓上生產(chǎn)更多芯片，從而產(chǎn)生更多的凈芯片。此外，它還使讀取周期時(shí)間縮短了 2.6 倍1 ，16Mb 的封裝尺寸也縮小到了 30 平方毫米，是目前業(yè)界最小的商用尺寸。該解決方案在 -25°C 溫度條件下可提供超過(guò) 1E142 個(gè)周期的近乎無(wú)限的耐用性。不過(guò)，最重要的成就可能還是同類最佳的能效，在 54MB/s 帶寬條件下，主動(dòng)讀取和寫入功耗分別為 14mW和27mW。

本文關(guān)鍵詞：MRAM

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