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非易失性存儲器芯片（NV SRAM）

NVSRAM可提供16kb至16Mb的存儲容量，存取時間高達70ns。讀、寫接口均與SRAM保持一致
標(biāo)準(zhǔn)Vcc條件下NVSRAM與同等速度SRAM的操作完全相同
無需擔(dān)心存儲數(shù)據(jù)分區(qū)問題，數(shù)據(jù)存儲位置與標(biāo)準(zhǔn)SRAM相同。

Cypress
VTI

Vilsion Technology Inc.是一家為汽車，通信，數(shù)字消費，工業(yè)，醫(yī)療和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)計，開發(fā)和銷售高性能集成電路的領(lǐng)導(dǎo)者。以下是非易失性隨機存取存儲器（NV-RAM），容量為128Kb~16Mb，讀取速度為40MHz,104MHz 25ns, 35ns以及45ns。無限讀寫，具有高可靠性，提供44TSOP,48BGA，8-DFN，16-SOIC封裝，工作電壓為3.3V。我司可根據(jù)客戶不同的產(chǎn)品需求推薦性價比高且實用的產(chǎn)品。

型號	容量	位寬	溫度	電壓(V)	速度	封裝	包裝	狀態(tài)	PDF
VTI8P016N08M	16Mbit	2M x 8	C,I	3.3	35ns	44TSOP,48BGA	Tray,T&R	MP	聯(lián)系我們
VTI8P016N16M	16Mbit	1M x 16	C,I	3.3	35ns	54TSOP,48BGA	Tray,T&R	MP	聯(lián)系我們
VTI8P004N08M	4Mbit	512K x 8	C,I,A	3.3	35ns	44TSOP,48BGA	Tray,T&R	MP	聯(lián)系我們
VTI8P004N16M	4Mbit	256K x 16	C,I，E,A	3.3	35ns	44TSOP,48BGA	Tray,T&R	MP	聯(lián)系我們
VTI8S004N00M	4Mbit	512K x 8	I,A	3.3	40MHz	8-DFN	Tray,T&R	MP	聯(lián)系我們
VTI8P001N16V	1Mbit	64Kx16bit	C,I	3.3	35ns	44TSOP,48BGA	Tray	MP	聯(lián)系我們
VTI8P001N08M	1Mbit	128K x 8	C,I,A	3.3	35ns	44TSOP,48BGA	Tray,T&R	MP	聯(lián)系我們
VTI8P001N16M	1Mbit	64K x 16	C,I，E,A	3.3	35ns	44TSOP,48BGA	Tray,T&R	MP	聯(lián)系我們
VTI8S001N00M	1Mbit	128K x 8	I,A	3.3	40MHz	8-DFN	Tray,T&R	MP	聯(lián)系我們
VTI8Q001N00M	1Mbit	128K x 8	C,I	3.3	40MHz/104MHz	16-SOIC	Tray,T&R	MP	聯(lián)系我們
VTI8P256N08M	256Kbit	32K x 8	C,I	3.3	35ns	44TSOP,48BGA	Tray,T&R	MP	聯(lián)系我們
VTI8S256N00M	256Kbit	32K x 8	I,A	3.3	40MHz	8-DFN	Tray,T&R	MP	聯(lián)系我們
VTI8S128N00M	128Kbit	16K x 8	I,A	3.3	40MHz	8-DFN	Tray,T&R	MP	聯(lián)系我們

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