磁阻式隨機存取存儲器（MRAM）技術(shù)持續(xù)演進。這種技術(shù)基于隧穿磁阻效應，利用磁性材料的磁阻特性來保存數(shù)據(jù)，它具備非易失性、高速讀寫以及無限次擦寫等優(yōu)點。隨著技術(shù)的持續(xù)革新，MRAM的存儲密度和性能得到提升，成本逐漸下降，預示著它將在未來的存儲市場中占據(jù)重要地位。
 
  目前，主流的MRAM技術(shù)是STT MRAM，它通過隧道層的“巨磁阻效應”來讀取位單元。當隧道層兩側(cè)的磁性方向一致時，電阻較低；而當磁性方向相反時，電阻顯著增加。
 
  同時，基于自旋軌道扭矩（SOT）的磁性隨機存取存儲器（MRAM）技術(shù)也在持續(xù)取得突破。德國美因茨約翰內(nèi)斯古騰堡大學（JGU）的研究團隊與法國Antaios公司攜手合作，利用軌道霍爾效應，開發(fā)出了一種創(chuàng)新的SOT-MRAM。
 
  這項SOT-MRAM技術(shù)在寫入電流和能效比方面實現(xiàn)了雙重突破。通過軌道霍爾效應，該技術(shù)將寫入電流減少了20%，能效比提高了30%，同時保證了數(shù)據(jù)的十年以上保存期。
 
  與傳統(tǒng)SOT-MRAM依賴于強自旋軌道耦合的金屬材料（如鉑和鎢）不同，這項技術(shù)通過軌道霍爾效應將電荷電流轉(zhuǎn)換為軌道電流，從而避免了對稀有和昂貴材料的依賴，降低了生產(chǎn)成本。其非易失性和低功耗特性，使其特別適合應用于數(shù)據(jù)中心和高性能計算等領(lǐng)域。在數(shù)據(jù)中心，大量數(shù)據(jù)需要快速存儲和讀取，同時對存儲設備的穩(wěn)定性和可靠性要求極高。新型SOT-MRAM的出現(xiàn)為滿足數(shù)據(jù)中心的存儲需求提供了新的解決方案。


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